Informazioni di Base.
Model No.
SFS04R013UGF PDFN5 x 6
Marchio
Orientalsemiconductor
Origine
China
Codice SA
854129000
Capacità di Produzione
20kkkk/Monthly
Descrizione del Prodotto
Descrizione generale
IL MOSFET FSMOS® si basa sull'esclusivo design del dispositivo di Oriental Semiconductor per ottenere un RDS(ON) basso, una bassa carica di gate, una commutazione rapida ed eccellenti caratteristiche di valanga. La serie a basso Vth è ottimizzata appositamente per sistemi di rettifica sincrona con bassa tensione di pilotaggio.
Caratteristiche
Applicazioni
Parametri chiave delle prestazioni
Informazioni di contrassegno
IL MOSFET FSMOS® si basa sull'esclusivo design del dispositivo di Oriental Semiconductor per ottenere un RDS(ON) basso, una bassa carica di gate, una commutazione rapida ed eccellenti caratteristiche di valanga. La serie a basso Vth è ottimizzata appositamente per sistemi di rettifica sincrona con bassa tensione di pilotaggio.
Caratteristiche
- RDS(ON) e FOM bassi (figura di merito)
- Perdita di commutazione estremamente bassa
- Affidabilità e uniformità eccellenti
- Commutazione rapida e recupero graduale
- Certificazione AEC-Q101 per applicazioni automobilistiche
Applicazioni
- Alimentazione elettronica dell'utilizzatore
- Comando del motore
- Rettifica sincrona
- Convertitore CC/CC isolato
- Invertitori
Parametri chiave delle prestazioni
| Parametro | Valore | Unità |
| VDS | 40 | V |
| ID, polso | 600 | R |
| RDS(ON) MAX @ VGS=10 V. | 1.1 | MΩ |
| QG | 118.4 | NC |
Informazioni di contrassegno
| Nome prodotto | Pacchetto | Marcatura |
| SFS04R013UGF | PDFN5 x 6 | SFS04R013UG |
Valori nominali massimi assoluti a Tj=25°C, salvo diversa indicazione
Caratteristiche termiche
Caratteristiche elettriche a Tj=25°C, salvo diversamente specificato
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Tensione di sorgente di scarico | VDS | 40 | V |
| Tensione di alimentazione gate | VGS | ±20 | V |
| Corrente di scarico continuo 1), TC=25 °C. | ID | 200 | R |
| Corrente di scarico pulsata2), TC=25 °C. | ID, polso | 600 | R |
| Corrente continua di diodo in avanti 1), TC=25 °C. | È | 200 | R |
| Diodo a impulsi current2), TC=25 °C. | È, polso | 600 | R |
| Dissidenza di alimentazione3), TC=25 °C. | PD | 178 | W |
| Energia a valanghe pulsata5) | EAS | 144 | MJ |
| Temperatura di funzionamento e di stoccaggio | Tstg, Tj | da -55 a 175 | °C |
Caratteristiche termiche
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Resistenza termica, scatola di giunzione | RθJC | 0.84 | °C/W |
| Resistenza termica, ambiente di giunzione 4) | RθJA | 62 | °C/W |
Caratteristiche elettriche a Tj=25°C, salvo diversamente specificato
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Tensione di scarica-sorgente di scarica | BVDSS | 40 | V | VGS=0 V, ID=250 ΜA | ||
| Tensione di soglia gate | VGS(th) | 1.2 | 2.5 | V | VDS=VGS, ID=250 ΜA | |
| Resistenza di stato di attivazione drain-source | RDS(ON) | 0.9 | 1.1 | MΩ | VGS=10 V, ID=20 A. | |
| Resistenza di stato di attivazione drain-source | RDS(ON) | 1.5 | 2.0 | MΩ | VGS=6 V, ID=20 A. | |
| Corrente di dispersione gate-source | IGS | 100 | Na | VGS=20 V. | ||
| -100 | VGS=-20 V. | |||||
| Corrente di dispersione drain-source | IDS | 1 | UA | VDS=40 V, VGS=0 V. | ||
| Resistenza del gate | RG | 3.2 | Ω | ƒ=1 MHz, open drain |
Caratteristiche dinamiche
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Capacità di ingresso | CISS | 5453 | PF | VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ=100 kHz | ||
| Capacità di uscita | COSS | 1951 | PF | |||
| Capacità di trasferimento inversa | CRS | 113 | PF | |||
| Tempo di ritardo di attivazione | td(on) | 23.9 | n/s | VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 Ω, ID=40 A. | ||
| Tempo di salita | tr | 16.9 | n/s | |||
| Ritardo di disattivazione | td(off) | 80.4 | n/s | |||
| Tempo di caduta | tf | 97.7 | n/s |
Caratteristiche di carica del gate
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Costo totale gate | QG | 85.6 | NC | VGS=10 V VDS=40 V, ID=40 A, | ||
| Carica gate-source | DGS | 17.6 | NC | |||
| Carica gate-drain | QGD | 14.5 | NC | |||
| Tensione plateau gate | Vplateau | 3.6 | V |
Caratteristiche del diodo corpo
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Tensione di avanzamento diodo | VSD | 1.3 | V | IS=20 A, VGS=0 V. | ||
| Tempo di recupero inverso | trr | 71.1 | n/s | VR=40 V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs | ||
| Carica di recupero inversa | Qr | 50.1 | NC | |||
| Corrente di recupero inversa di picco | Irrm | 1.2 | R |
Nota
- Corrente continua calcolata in base alla temperatura di giunzione massima consentita.
- Valore nominale ripetitivo; larghezza impulso limitata dalla temperatura massima di giunzione.
- PD si basa sulla temperatura di giunzione massima, utilizzando la resistenza termica del contenitore di giunzione.
- Il valore di RθJA viene misurato con il dispositivo montato su una scheda FR-4 1 in2 da 2oz. Rame, in ambiente tranquillo con Ta=25°C.
