Informazioni di Base.
Model No.
OSG65R099HSZAF TO247
Pacchetto di Trasporto
Air
Marchio
Orientalsemiconductor
Origine
China
Codice SA
854129000
Capacità di Produzione
20kkkk/Monthly
Descrizione del Prodotto
Descrizione generale
Il MOSFET ad alta tensione GreenMOS® utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per ottenere una resistenza all'accensione eccezionale e una carica di gate ridotta. È progettato per ridurre al minimo le perdite di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e una robusta capacità a valanga.
La serie Z GreenMOS® è integrata con il diodo a recupero rapido (FRD) per ridurre al minimo il tempo di recupero inverso. È adatto per topologie di commutazione risonanti per raggiungere una maggiore efficienza, una maggiore affidabilità e un fattore di forma più piccolo.
Caratteristiche
Applicazioni
Parametri chiave delle prestazioni
Informazioni di contrassegno
Il test HTRB è stato eseguito a 600 V più rigorosamente rispetto al test AEC-Q101 rev.C (80% V(BR)DSS). Tutti gli altri test sono stati eseguiti secondo la norma AEC Q101 rev. E.
Caratteristiche dinamiche
Caratteristiche di carica del gate
Caratteristiche del diodo corpo
Nota
Il MOSFET ad alta tensione GreenMOS® utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per ottenere una resistenza all'accensione eccezionale e una carica di gate ridotta. È progettato per ridurre al minimo le perdite di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e una robusta capacità a valanga.
La serie Z GreenMOS® è integrata con il diodo a recupero rapido (FRD) per ridurre al minimo il tempo di recupero inverso. È adatto per topologie di commutazione risonanti per raggiungere una maggiore efficienza, una maggiore affidabilità e un fattore di forma più piccolo.
Caratteristiche
- RDS(ON) e FOM bassi
- Perdita di commutazione estremamente bassa
- Stabilità e uniformità eccellenti
- Diodo corpo ultra-veloce e robusto
- Certificazione AEC-Q101 per applicazioni automobilistiche
Applicazioni
- Alimentazione PC
- Potenza per le telecomunicazioni
- Alimentazione del server
- Caricabatteria EV
- Driver motore
Parametri chiave delle prestazioni
| Parametro | Valore | Unità |
| VDS | 650 | V |
| ID, polso | 96 | R |
| RDS(ON), MAX @ VGS=10V | 99 | MΩ |
| QG | 66.6 | NC |
Informazioni di contrassegno
| Nome prodotto | Pacchetto | Marcatura |
| OSG65R099HSZAF | TO247 | OSG65R099HSZA |
Il test HTRB è stato eseguito a 600 V più rigorosamente rispetto al test AEC-Q101 rev.C (80% V(BR)DSS). Tutti gli altri test sono stati eseguiti secondo la norma AEC Q101 rev. E.
Valori nominali massimi assoluti a Tj=25°C, salvo diversa indicazione
Caratteristiche termiche
Caratteristiche elettriche a Tj=25°C, salvo diversamente specificato
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Tensione drain-source | VDS | 650 | V |
| Tensione gate-source | VGS | ±30 | V |
| Corrente di scarico continuo 1), TC=25 °C. | ID | 32 | R |
| Corrente di scarico continuo 1), TC=100 °C. | 20 | ||
| Corrente di scarico pulsata2), TC=25 °C. | ID, polso | 96 | R |
| Corrente continua di diodo in avanti 1), TC=25 °C. | È | 32 | R |
| Diodo a impulsi current2), TC=25 °C. | È, impulso | 96 | R |
| Dissidenza di potente3) , TC=25 °C. | PD | 278 | W |
| Energia a valanghe pulsata5) | EAS | 648 | MJ |
| Resistenza dv/dt MOSFET, VDS=0…480 V. | dv/dt | 50 | V/ns |
| Diodo retromarcia dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 50 | V/ns |
| Temperatura di funzionamento e di stoccaggio | Tstg, Tj | da -55 a 150 | °C |
Caratteristiche termiche
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Resistenza termica, scatola di giunzione | RθJC | 0.45 | °C/W |
| Resistenza termica, ambiente di giunzione 4) | RθJA | 62 | °C/W |
Caratteristiche elettriche a Tj=25°C, salvo diversamente specificato
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Tensione di scarica-sorgente di scarica | BVDSS | 650 | V | VGS=0 V, ID=1 MA | ||
| Tensione di soglia gate | VGS(th) | 3.0 | 4.5 | V | VDS=VGS, ID=1 MA | |
Resistenza di stato di attivazione drain-source | RDS(ON) | 0.090 | 0.099 | Ω | VGS=10 V, ID=16 A. | |
| 0.21 | VGS=10 V, ID=16 A, TJ=150 °C. | |||||
| Corrente di dispersione gate-source | IGS | 100 | Na | VGS=30 V. | ||
| -100 | VGS=-30 V. | |||||
| Corrente di dispersione drain-source | IDS | 10 | μA | VDS=650 V, VGS=0 V. | ||
| Resistenza del gate | RG | 7.8 | Ω | ƒ=1 MHz, open drain |
Caratteristiche dinamiche
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Capacità di ingresso | CISS | 3988 | PF | VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz | ||
| Capacità di uscita | COSS | 210 | PF | |||
| Capacità di trasferimento inversa | CRS | 7.4 | PF | |||
| Capacità di uscita effettiva, relativa all'energia | Co(er) | 124 | PF | VGS=0 V, VDS=0 V-400 V. | ||
| Capacità di uscita effettiva, relativa al tempo | Co(tr) | 585 | PF | |||
| Tempo di ritardo di attivazione | td(on) | 46.0 | n/s | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=20 A. | ||
| Tempo di salita | tr | 60.3 | n/s | |||
| Ritardo di disattivazione | td(off) | 93.0 | n/s | |||
| Tempo di caduta | tf | 3.7 | n/s |
Caratteristiche di carica del gate
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Costo totale gate | QG | 66.6 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20 A. | ||
| Carica gate-source | DGS | 20.6 | NC | |||
| Carica gate-drain | QGD | 24.8 | NC | |||
| Tensione plateau gate | Vplateau | 6.7 | V |
Caratteristiche del diodo corpo
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Tensione di avanzamento diodo | VSD | 1.3 | V | IS=32 A, VGS=0 V. | ||
| Tempo di recupero inverso | trr | 151.7 | n/s | IS=20 A, Di/dt=100 A/μs | ||
| Carica di recupero inversa | Qr | 1.0 | μC | |||
| Corrente di recupero inversa di picco | Irrm | 12.3 | R |
Nota
- Corrente continua calcolata in base alla temperatura di giunzione massima consentita.
- Valore nominale ripetitivo; larghezza impulso limitata dalla temperatura massima di giunzione.
- PD si basa sulla temperatura di giunzione massima, utilizzando la resistenza termica del contenitore di giunzione.
- VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 MH, Tj iniziale=25 °C.
