Alimentatore elettronico Super SIC Consumer RoHS Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 commutazione rapida e recupero morbido a basso RDS (ON) 1.1mΩ , MOSFET

Acquista l'alimentatore elettronico Super SIC Consumer RoHS Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 con MOSFET a basso RDS (ON) 1.1mΩ direttamente dalla nostra fabbrica. Commutazione rapida e recupero morbido per prestazioni ottimali.
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Dettagli prodotti

Informazioni di Base.

Model No.
SFS04R013UGF PDFN5 x 6
Marchio
Orientalsemiconductor
Origine
China
Codice SA
854129000
Capacità di Produzione
20kkkk/Monthly

Descrizione del Prodotto

Descrizione generale
IL MOSFET FSMOS® si basa sull'esclusivo design del dispositivo di Oriental Semiconductor per ottenere un RDS(ON) basso, una bassa carica di gate, una commutazione rapida ed eccellenti caratteristiche di valanga. La serie a basso Vth è ottimizzata appositamente per sistemi di rettifica sincrona con bassa tensione di pilotaggio.


Caratteristiche
  • RDS(ON) e FOM bassi (figura di merito)
  • Perdita di commutazione estremamente bassa                                                                  
  • Affidabilità e uniformità eccellenti
  • Commutazione rapida e recupero graduale
  • Certificazione AEC-Q101 per applicazioni automobilistiche

Applicazioni
  • Alimentazione elettronica dell'utilizzatore
  • Comando del motore
  • Rettifica sincrona
  • Convertitore CC/CC isolato
  • Invertitori


Parametri chiave delle prestazioni

 
Parametro Valore Unità
VDS 40 V
ID, polso 600 R
RDS(ON) MAX @ VGS=10 V. 1.1
QG 118.4 NC

Informazioni di contrassegno

 
Nome prodotto Pacchetto Marcatura
SFS04R013UGF PDFN5 x 6 SFS04R013UG

 
 
Valori nominali massimi assoluti a Tj=25°C, salvo diversa indicazione
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Tensione di sorgente di scarico VDS 40 V
Tensione di alimentazione gate VGS ±20 V
Corrente di scarico continuo 1), TC=25 °C. ID 200 R
Corrente di scarico pulsata2), TC=25 °C. ID, polso 600 R
Corrente continua di diodo in avanti 1), TC=25 °C. È 200 R
Diodo a impulsi current2), TC=25 °C. È, polso 600 R
Dissidenza di alimentazione3), TC=25 °C. PD 178 W
Energia a valanghe pulsata5) EAS 144 MJ
Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg, Tj da -55 a 175 °C

Caratteristiche termiche
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Resistenza termica, scatola di giunzione RθJC 0.84 °C/W
Resistenza termica, ambiente di giunzione 4) RθJA 62 °C/W

Caratteristiche elettriche a Tj=25°C, salvo diversamente specificato
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di scarica-sorgente di scarica BVDSS 40     V VGS=0 V, ID=250 ΜA
Tensione di soglia gate VGS(th) 1.2   2.5 V VDS=VGS, ID=250 ΜA
Resistenza di stato di attivazione drain-source RDS(ON)   0.9 1.1 VGS=10 V, ID=20 A.
Resistenza di stato di attivazione drain-source RDS(ON)   1.5 2.0 VGS=6 V, ID=20 A.
Corrente di dispersione gate-source
IGS
    100
Na
VGS=20 V.
    -100 VGS=-20 V.
Corrente di dispersione drain-source IDS     1 UA VDS=40 V, VGS=0 V.
Resistenza del gate RG   3.2   Ω ƒ=1 MHz, open drain

Caratteristiche dinamiche
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Capacità di ingresso CISS   5453   PF
VGS=0 V, VDS=25 V,
ƒ=100 kHz
Capacità di uscita COSS   1951   PF
Capacità di trasferimento inversa CRS   113   PF
Tempo di ritardo di attivazione td(on)   23.9   n/s
VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 Ω, ID=40 A.
Tempo di salita tr   16.9   n/s
Ritardo di disattivazione td(off)   80.4   n/s
Tempo di caduta tf   97.7   n/s

Caratteristiche di carica del gate
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Costo totale gate QG   85.6   NC

VGS=10 V VDS=40 V, ID=40 A,
Carica gate-source DGS   17.6   NC
Carica gate-drain QGD   14.5   NC
Tensione plateau gate Vplateau   3.6   V

Caratteristiche del diodo corpo
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di avanzamento diodo VSD     1.3 V IS=20 A, VGS=0 V.
Tempo di recupero inverso trr   71.1   n/s
VR=40 V, IS=40 A,
Di/dt=100 A/μs
Carica di recupero inversa Qr   50.1   NC
Corrente di recupero inversa di picco Irrm   1.2   R

Nota
  1. Corrente continua calcolata in base alla temperatura di giunzione massima consentita.
  2. Valore nominale ripetitivo; larghezza impulso limitata dalla temperatura massima di giunzione.
  3. PD si basa sulla temperatura di giunzione massima, utilizzando la resistenza termica del contenitore di giunzione.
  4. Il valore di RθJA viene misurato con il dispositivo montato su una scheda FR-4 1 in2 da 2oz. Rame, in ambiente tranquillo con Ta=25°C.
VDD =30 V,VG =10 V, L=0.3 MH, Tj iniziale =25 °C.
Super Sic Consumer Electronic Power Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 Fast Switching and Soft Recovery Low RDS (ON) 1.1mΩ , Mosfet


 
 





 

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