MOSFET di potenza a giunzione super a canale N DA 247 A 650 V Dhsj21n65W to-21

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Dettagli prodotti

Informazioni di Base.

Model No.
DHSJ21N65W
Numero di lotto
2023
Marca
Wxdh
tensione
650 v.
valuta
21 a.
Pacchetto di Trasporto
Carton
Marchio
WXDH
Origine
Wuxi, China
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
500000000 Pieces/Year

Descrizione del Prodotto

21A 650V N-Channel Super Junction Power Mosfet Dhsj21n65W to-247 21A 650V N-Channel Super Junction Power Mosfet Dhsj21n65W to-247 21A 650V N-Channel Super Junction Power Mosfet Dhsj21n65W to-247 21A 650V N-Channel Super Junction Power Mosfet Dhsj21n65W to-247
 
Caratteristiche
Commutazione rapida
Bassa resistenza in stato attivo(Rdson≤0.165Ω)
Bassa carica gate (tipo: 50 NC)
Capacità di trasferimento inversa ridotte (tipo: 3,5 pF)
Test di energia a valanga a impulso singolo al 100%
100% ΔVDS Test
Applicazioni
Correzione del fattore di potenza (PFC).
Alimentatori switching (SMPS).
Gruppo di continuità (UPS).
Convertitori c.a./c.c.
Telecomunicazioni, SOLARE
 
PARAMETRO SIMBOLO VALUTAZIONE UNITÀ
Tensione DRIAN-sorgente VDSS 650 V
Tensione gate-source VGSS ±30 V
Corrente di scarico continua ID TC=25ºC 21 R
TC=100ºC 13.2 R
Corrente di scarico a impulsi IDM 63 R
Energia valanghe a impulso singolo EAS 484 MJ
Dissipazione di potenza TA=25ºC Ptot 3 W
TC=25ºC Ptot 151 W
Intervallo di temperatura della giunzione TJ -55~150 ºC
Temperatura di stoccaggio Tstg -55~150 ºC
 
Specifiche del prodotto e modelli di imballaggio
Modello del prodotto Tipo di pacchetto Nome contrassegno RoHS Pacchetto Quantità
DHSJ21N65W
A-220C
DHSJ21N65W
Senza piombo Tubo 300/confezione
  21A 650V N-Channel Super Junction Power Mosfet Dhsj21n65W to-247

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