Potenza di telecomunicazione PFC boost perdita di commutazione estremamente bassa Osg65r099hszaf TO247 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET regolatore ad alta tensione con diodo a recupero rapido

Il MOSFET regolatore ad alta tensione Osg65r099hszaf TO247 VDS 650V RDS99mΩ offre una potenza di telecomunicazione PFC boost con perdita di commutazione estremamente bassa. Acquista direttamente dalla fabbrica.
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Dettagli prodotti

Informazioni di Base.

Model No.
OSG65R099HSZAF TO247
Pacchetto di Trasporto
Air
Marchio
Orientalsemiconductor
Origine
China
Codice SA
854129000
Capacità di Produzione
20kkkk/Monthly

Descrizione del Prodotto

Descrizione generale
Il MOSFET ad alta tensione GreenMOS® utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per ottenere una resistenza all'accensione eccezionale e una carica di gate ridotta. È progettato per ridurre al minimo le perdite di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e una robusta capacità a valanga.
La serie Z GreenMOS® è integrata con il diodo a recupero rapido (FRD) per ridurre al minimo il tempo di recupero inverso. È adatto per topologie di commutazione risonanti per raggiungere una maggiore efficienza, una maggiore affidabilità e un fattore di forma più piccolo.

Caratteristiche                                                                                                    
  • RDS(ON) e FOM bassi
  • Perdita di commutazione estremamente bassa
  • Stabilità e uniformità eccellenti
  • Diodo corpo ultra-veloce e robusto
  • Certificazione AEC-Q101 per applicazioni automobilistiche

Applicazioni
  • Alimentazione PC
  • Potenza per le telecomunicazioni
  • Alimentazione del server
  • Caricabatteria EV
  • Driver motore

Parametri chiave delle prestazioni

 
Parametro Valore Unità
VDS 650 V
ID, polso 96 R
RDS(ON), MAX @ VGS=10V 99
QG 66.6 NC

Informazioni di contrassegno

 
Nome prodotto Pacchetto Marcatura
OSG65R099HSZAF TO247 OSG65R099HSZA


Il test HTRB è stato eseguito a 600 V più rigorosamente rispetto al test AEC-Q101 rev.C (80% V(BR)DSS). Tutti gli altri test sono stati eseguiti secondo la norma AEC Q101 rev. E.
 
Valori nominali massimi assoluti a Tj=25°C, salvo diversa indicazione
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Tensione drain-source VDS 650 V
Tensione gate-source VGS ±30 V
Corrente di scarico continuo 1), TC=25 °C.
ID
32
R
Corrente di scarico continuo 1), TC=100 °C. 20
Corrente di scarico pulsata2), TC=25 °C. ID, polso 96 R
Corrente continua di diodo in avanti 1), TC=25 °C. È 32 R
Diodo a impulsi current2), TC=25 °C. È, impulso 96 R
 Dissidenza di potente3) , TC=25  °C. PD 278 W
Energia a valanghe pulsata5) EAS 648 MJ
Resistenza dv/dt MOSFET, VDS=0…480 V. dv/dt 50 V/ns
Diodo retromarcia dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID dv/dt 50 V/ns
Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg, Tj da -55 a 150 °C

Caratteristiche termiche
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Resistenza termica, scatola di giunzione RθJC 0.45 °C/W
Resistenza termica, ambiente di giunzione 4) RθJA 62 °C/W

Caratteristiche elettriche a Tj=25°C, salvo diversamente specificato
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di scarica-sorgente di scarica BVDSS 650     V VGS=0 V, ID=1 MA
Tensione di soglia gate VGS(th) 3.0   4.5 V VDS=VGS, ID=1 MA

Resistenza di stato di attivazione drain-source

RDS(ON)
  0.090 0.099
Ω
VGS=10 V, ID=16 A.
  0.21   VGS=10 V, ID=16 A, TJ=150 °C.
Corrente di dispersione gate-source
IGS
    100
Na
VGS=30 V.
    -100 VGS=-30 V.
Corrente di dispersione drain-source IDS     10 μA VDS=650 V, VGS=0 V.
Resistenza del gate RG   7.8   Ω ƒ=1 MHz, open drain

Caratteristiche dinamiche
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Capacità di ingresso CISS   3988   PF
VGS=0 V, VDS=50 V,
ƒ=100 kHz
Capacità di uscita COSS   210   PF
Capacità di trasferimento inversa CRS   7.4   PF
Capacità di uscita effettiva, relativa all'energia Co(er)   124   PF
VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacità di uscita effettiva, relativa al tempo Co(tr)   585   PF
Tempo di ritardo di attivazione td(on)   46.0   n/s
VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=20 A.
Tempo di salita tr   60.3   n/s
Ritardo di disattivazione td(off)   93.0   n/s
Tempo di caduta tf   3.7   n/s

Caratteristiche di carica del gate
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Costo totale gate QG   66.6   NC

VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20 A.
Carica gate-source DGS   20.6   NC
Carica gate-drain QGD   24.8   NC
Tensione plateau gate Vplateau   6.7   V

Caratteristiche del diodo corpo
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di avanzamento diodo VSD     1.3 V IS=32 A, VGS=0 V.
Tempo di recupero inverso trr   151.7   n/s
IS=20 A,
Di/dt=100 A/μs
Carica di recupero inversa Qr   1.0   μC
Corrente di recupero inversa di picco Irrm   12.3   R

Nota
  1. Corrente continua calcolata in base alla temperatura di giunzione massima consentita.
  2. Valore nominale ripetitivo; larghezza impulso limitata dalla temperatura massima di giunzione.
  3. PD si basa sulla temperatura di giunzione massima, utilizzando la resistenza termica del contenitore di giunzione.
  4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 MH, Tj iniziale=25 °C.
 
Boost Pfc Telecom Power Extremely Low Switching Loss Osg65r099hszaf To247 Vds 650V RDS99mΩ Mosfet
 


 
 





 

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